Numero di Prodotto del Fabbricante:
SQJQ404E-T1_GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SQJQ404E-T1_GE3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 200A PPAK 8 X 8
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 200A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
Inventario:
13062967
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SQJQ404E-T1_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
TrenchFET®
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.72mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
270 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
16480 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® 8 x 8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® 8 x 8
Numero di prodotto di base
SQJQ404
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
SQJQ404E-T1_GE3DKR
SQJQ404E-T1_GE3TR
SQJQ404E-T1_GE3CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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