Numero di Prodotto del Fabbricante:
SIHB30N60AEL-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SIHB30N60AEL-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 28A TO263
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
8 Pz Nuovo Originale Disponibile
13063090
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SIHB30N60AEL-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
EL
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2565 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
250W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
SIHB30
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
SIHB30N60AEL-GE3CT
SIHB30N60AEL-GE3TR
SIHB30N60AEL-GE3DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STB35N60DM2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
STB35N60DM2-DG
PREZZO UNITARIO
2.69
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
STB34NM60N
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
STB34NM60N-DG
PREZZO UNITARIO
5.29
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
STB32N65M5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
1000
NUMERO DI PEZZO
STB32N65M5-DG
PREZZO UNITARIO
5.37
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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