Numero di Prodotto del Fabbricante:
SIR626LDP-T1-RE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SIR626LDP-T1-RE3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 45.6A/186A PPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 45.6A (Ta), 186A (Tc) 6.25W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Inventario:
6172 Pz Nuovo Originale Disponibile
13060499
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
SIR626LDP-T1-RE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET® Gen IV
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
45.6A (Ta), 186A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5900 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
6.25W (Ta), 104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
PowerPAK® SO-8
Pacchetto / Custodia
PowerPAK® SO-8
Numero di prodotto di base
SIR626
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SIR626LDP-T1-RE3CT
SIR626LDP-T1-RE3TR
SIR626LDP-T1-RE3DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SQD50034E_GE3
MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
SI4812BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
SI4442DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
