Numero di Prodotto del Fabbricante:
SQD50034E_GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SQD50034E_GE3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 100A TO252AA
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventario:
3301 Pz Nuovo Originale Disponibile
13060548
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
SQD50034E_GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Stato parte
Last Time Buy
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.9mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6600 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
107W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252AA
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
SQD50034
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
SQD50034E_GE3CT
SQD50034E_GE3TR
SQD50034E_GE3DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
SQJ174EP-T1_GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
14945
NUMERO DI PEZZO
SQJ174EP-T1_GE3-DG
PREZZO UNITARIO
0.70
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SI4812BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
SI4442DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15A 8SO
SQA470EJ-T1_GE3
MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70
