Numero di Prodotto del Fabbricante:
STB35N60DM2
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STB35N60DM2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 28A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12875164
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STB35N60DM2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
MDmesh™ DM2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
28A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2400 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
210W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
STB35
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
497-16357-6
497-16357-1
497-16357-2
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPB60R099CPATMA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
1212
NUMERO DI PEZZO
IPB60R099CPATMA1-DG
PREZZO UNITARIO
3.99
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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