Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI5908DC-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI5908DC-T1-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Inventario:
27807 Pz Nuovo Originale Disponibile
12918167
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SI5908DC-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
-
Potenza - Max
1.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore
1206-8 ChipFET™
Numero di prodotto di base
SI5908
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI5908DC-T1-GE3TR
SI5908DCT1GE3
SI5908DC-T1-GE3DKR
SI5908DC-T1-GE3CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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