SI5908DC-T1-GE3
Numero di Prodotto del Fabbricante:

SI5908DC-T1-GE3

Product Overview

Produttore:

Vishay Siliconix

Numero di Parte:

SI5908DC-T1-GE3-DG

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™

Inventario:

27807 Pz Nuovo Originale Disponibile
12918167
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

SI5908DC-T1-GE3 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual)
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
-
Potenza - Max
1.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SMD, Flat Lead
Pacchetto dispositivo fornitore
1206-8 ChipFET™
Numero di prodotto di base
SI5908

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI5908DC-T1-GE3TR
SI5908DCT1GE3
SI5908DC-T1-GE3DKR
SI5908DC-T1-GE3CT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
vishay-siliconix

SI4946BEY-T1-E3

MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC

vishay-siliconix

SI7288DP-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8

vishay-siliconix

SI7904DN-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212

vishay-siliconix

SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP