Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI3585CDV-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI3585CDV-T1-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP
Inventario:
13694 Pz Nuovo Originale Disponibile
12918263
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SI3585CDV-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
N and P-Channel
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
58mOhm @ 2.5A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
4.8nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
150pF @ 10V
Potenza - Max
1.4W, 1.3W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Pacchetto dispositivo fornitore
6-TSOP
Numero di prodotto di base
SI3585
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SI3585CDV-T1-GE3-DG
SI3585CDV-T1-GE3TR
SI3585CDV-T1-GE3CT
SI3585CDV-T1-GE3DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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