Numero di Prodotto del Fabbricante:
SI4501BDY-T1-GE3
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
SI4501BDY-T1-GE3-DG
Descrizione:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Inventario:
12918148
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
SI4501BDY-T1-GE3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
-
Serie
TrenchFET®
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
N and P-Channel, Common Drain
Funzione FET
Logic Level Gate
Tensione da drain a source (Vdss)
30V, 8V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A, 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
17mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
805pF @ 15V
Potenza - Max
4.5W, 3.1W
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOIC
Numero di prodotto di base
SI4501
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
SI4501BDY-T1-GE3DKR
SI4501BDY-T1-GE3CT
SI4501BDY-T1-GE3TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DMC3021LSD-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
94854
NUMERO DI PEZZO
DMC3021LSD-13-DG
PREZZO UNITARIO
0.15
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
SI5944DU-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
SI5908DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
