Numero di Prodotto del Fabbricante:
IRF840LCSTRL
Product Overview
Produttore:
Vishay Siliconix
Numero di Parte:
IRF840LCSTRL-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
12912963
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IRF840LCSTRL Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
850mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1100 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
3.1W (Ta), 125W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
IRF840
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FDB12N50TM
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1
NUMERO DI PEZZO
FDB12N50TM-DG
PREZZO UNITARIO
0.91
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
STB11NK50ZT4
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
872
NUMERO DI PEZZO
STB11NK50ZT4-DG
PREZZO UNITARIO
1.34
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
Certificazione DIGI
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