IRF830BPBF
Numero di Prodotto del Fabbricante:

IRF830BPBF

Product Overview

Produttore:

Vishay Siliconix

Numero di Parte:

IRF830BPBF-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 500 V 5.3A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB

Inventario:

2784 Pz Nuovo Originale Disponibile
12910708
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IRF830BPBF Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Vishay
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
500 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
5.3A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
325 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
104W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IRF830

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
IRF830B
Scheda Dati HTML
IRF830BPBF-DG
Schede dati
IRF830BPBF
Disegni del prodotto
TO-220AB Package Drawing

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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