IRF840ALPBF

Numero di Prodotto del Fabbricante:

IRF840ALPBF

Product Overview

Produttore:

Vishay Siliconix

Numero di Parte:

IRF840ALPBF-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 500V 8A I2PAK

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 500 V 8A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Through Hole I2PAK

Inventario:

415 Pz Nuovo Originale Disponibile

12910713

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IRF840ALPBF Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

Vishay

Imballaggio

Tube

Serie

-

Stato del prodotto

Active

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

500 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

850mOhm @ 4.8A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

4V @ 250µA

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

38 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

1018 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

I2PAK

Pacchetto / Custodia

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Numero di prodotto di base

IRF840

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

IRF840ASPBF, ALPBF

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

50

Altri nomi

*IRF840ALPBF

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS

ROHS3 Compliant

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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