Numero di Prodotto del Fabbricante:
TP65H070LSG
Product Overview
Produttore:
Transphorm
Numero di Parte:
TP65H070LSG-DG
Descrizione:
GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Inventario:
13446636
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TP65H070LSG Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Transphorm
Imballaggio
-
Serie
TP65H070L
Stato del prodotto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
85mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.8V @ 700µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9.3 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
600 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
96W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
3-PQFN (8x8)
Pacchetto / Custodia
3-PowerDFN
Numero di prodotto di base
TP65H070
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
60
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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