Numero di Prodotto del Fabbricante:
TPN4R303NL,L1Q
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TPN4R303NL,L1Q-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 40A 8TSON
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 40A (Tc) 700mW (Ta), 34W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventario:
4115 Pz Nuovo Originale Disponibile
12890048
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TPN4R303NL,L1Q Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
40A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.3V @ 200µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1400 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
700mW (Ta), 34W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
TPN4R303
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
264-TPN4R303NL,L1QDKR
TPN4R303NL,L1Q(M
TPN4R303NLL1QCT
264-TPN4R303NL,L1QTR
TPN4R303NLL1QTR
TPN4R303NLL1QDKR
TPN4R303NLL1QTR-DG
264-TPN4R303NL,L1QCT
TPN4R303NLL1QDKR-DG
TPN4R303NLL1QCT-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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