Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK6A65D(STA4,Q,M)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK6A65D(STA4,Q,M)-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 6A TO220SIS
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 6A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
35 Pz Nuovo Originale Disponibile
12890056
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
TK6A65D(STA4,Q,M) Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
π-MOSVII
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
6A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.11Ohm @ 3A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1050 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
45W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220SIS
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
TK6A65
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
TK6A65D
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
TK6A65DSTA4QM
TK6A65D(STA4QM)
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPA70R900P7SXKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
386
NUMERO DI PEZZO
IPA70R900P7SXKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.32
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STF10N65K3
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
952
NUMERO DI PEZZO
STF10N65K3-DG
PREZZO UNITARIO
0.66
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STF7N65M2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
72
NUMERO DI PEZZO
STF7N65M2-DG
PREZZO UNITARIO
0.59
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STP9NK65ZFP
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
68
NUMERO DI PEZZO
STP9NK65ZFP-DG
PREZZO UNITARIO
0.65
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STF7LN80K5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
2139
NUMERO DI PEZZO
STF7LN80K5-DG
PREZZO UNITARIO
0.82
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
2SJ438(AISIN,A,Q)
MOSFET P-CH TO220NIS
TK10A50D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 500V 10A TO220SIS
TK10A55D(STA4,Q,M)
MOSFET N-CH 550V 10A TO220SIS
PMH1200UPEH
MOSFET P-CH 30V 520MA DFN0606-3