Numero di Prodotto del Fabbricante:
TPH5900CNH,L1Q
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TPH5900CNH,L1Q-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 150V 9A 8SOP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 150 V 9A (Ta) 1.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
14354 Pz Nuovo Originale Disponibile
12891302
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
TPH5900CNH,L1Q Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
150 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 200µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
600 pF @ 75 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Ta), 42W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
TPH5900
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
TPH5900CNHL1QTR
TPH5900CNH,L1Q(M
TPH5900CNHL1QCT
TPH5900CNHL1QDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
TK39N60W,S1VF
MOSFET N CH 600V 38.8A TO247
2SK2962,T6WNLF(M
MOSFET N-CH TO92MOD
TPC8111(TE12L,Q,M)
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
