Numero di Prodotto del Fabbricante:
SSM3J15FV,L3F
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
SSM3J15FV,L3F-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 30V 100MA VESM
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM
Inventario:
46790 Pz Nuovo Originale Disponibile
12891319
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SSM3J15FV,L3F Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
π-MOSVI
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12Ohm @ 10mA, 4V
vgs(th) (massimo) @ id
1.7V @ 100µA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9.1 pF @ 3 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
150mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
VESM
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Numero di prodotto di base
SSM3J15
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
SSM3J15FV,L3F(B
SSM3J15FV,L3F(T
SSM3J15FVL3FTR
SSM3J15FVL3FCT
SSM3J15FVL3FDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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