TK8A60W,S4VX
Numero di Prodotto del Fabbricante:

TK8A60W,S4VX

Product Overview

Produttore:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di Parte:

TK8A60W,S4VX-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS

Inventario:

48 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889355
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
0gGw
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

TK8A60W,S4VX Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
DTMOSIV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.7V @ 400µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
570 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220SIS
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
TK8A60

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
TK8A60WS4VX
TK8A60W,S4VX(M

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IPA60R600C6XKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
500
NUMERO DI PEZZO
IPA60R600C6XKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.86
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STF10NM60ND
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
378
NUMERO DI PEZZO
STF10NM60ND-DG
PREZZO UNITARIO
0.87
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
R6009ENX
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
395
NUMERO DI PEZZO
R6009ENX-DG
PREZZO UNITARIO
1.50
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J212FE,LF

MOSFET P-CH 20V 4A ES6

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3566(STA4,Q,M)

MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS

toshiba-semiconductor-and-storage

TK60P03M1,RQ(S

MOSFET N-CH 30V 60A DPAK

toshiba-semiconductor-and-storage

TK20A25D,S5Q(M

MOSFET N-CH 250V 20A TO220SIS