Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK8A60W,S4VX
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK8A60W,S4VX-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 8A TO220SIS
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 8A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
48 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889355
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TK8A60W,S4VX Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
DTMOSIV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.7V @ 400µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
570 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
30W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220SIS
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
TK8A60
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
TK8A60WS4VX
TK8A60W,S4VX(M
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPA60R600C6XKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
500
NUMERO DI PEZZO
IPA60R600C6XKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
0.86
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STF10NM60ND
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
378
NUMERO DI PEZZO
STF10NM60ND-DG
PREZZO UNITARIO
0.87
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
R6009ENX
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
395
NUMERO DI PEZZO
R6009ENX-DG
PREZZO UNITARIO
1.50
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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