Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SK3566(STA4,Q,M)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
2SK3566(STA4,Q,M)-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 2.5A TO220SIS
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 2.5A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
386 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889363
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2SK3566(STA4,Q,M) Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
π-MOSIV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
470 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
40W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220SIS
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
2SK3566
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2SK3566STA4QM
2SK3566(Q)
2SK3566(STA4QM)
2SK3566Q
2SK3566-NDR
2SK3566Q-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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