Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK8A25DA,S4X
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK8A25DA,S4X-DG
Descrizione:
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 7.5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
4 Pz Nuovo Originale Disponibile
12988692
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TK8A25DA,S4X Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
500mOhm @ 3.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
16 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
550 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
30W (Tc)
Temperatura
150°C
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220SIS
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
264-TK8A25DAS4X-DG
264-TK8A25DA,S4X
264-TK8A25DA,S4X-DG
264-TK8A25DAS4X
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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