Numero di Prodotto del Fabbricante:
TPH4R008QM,LQ
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TPH4R008QM,LQ-DG
Descrizione:
POWER MOSFET TRANSISTOR SOP8-ADV
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 80 V 86A (Tc) 960mW (Ta), 170W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5.75)
Inventario:
4878 Pz Nuovo Originale Disponibile
12988710
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TPH4R008QM,LQ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
80 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
86A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4mOhm @ 43A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 600µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
5300 pF @ 40 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
960mW (Ta), 170W (Tc)
Temperatura
175°C
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOP Advance (5x5.75)
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
264-TPH4R008QM,LQTR
264-TPH4R008QM,LQCT
264-TPH4R008QMLQTR-DG
264-TPH4R008QM,LQDKR
264-TPH4R008QMLQTR
264-TPH4R008QM,LQTR-DG
TPH4R008QM,LQ(M1
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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