Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK62N60X,S1F
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK62N60X,S1F-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 61.8A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 61.8A (Ta) 400W (Tc) Through Hole TO-247
Inventario:
102 Pz Nuovo Originale Disponibile
12890941
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
TK62N60X,S1F Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
DTMOSIV-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
61.8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
40mOhm @ 21A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 3.1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
6500 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
400W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
TK62N60
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
TK62N60XS1F
TK62N60X,S1F(S
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
TK56A12N1,S4X
MOSFET N-CH 120V 56A TO220SIS
TK5P50D(T6RSS-Q)
MOSFET N-CH 500V 5A DPAK
TPH1110FNH,L1Q
MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
