Numero di Prodotto del Fabbricante:
TPH1110FNH,L1Q
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TPH1110FNH,L1Q-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 250V 10A 8SOP
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 250 V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Inventario:
11608 Pz Nuovo Originale Disponibile
12890946
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TPH1110FNH,L1Q Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVIII-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
250 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
112mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 300µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.6W (Ta), 57W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-SOP Advance (5x5)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
TPH1110
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
TPH1110FNH,L1QDKR-DG
TPH1110FNHL1QCT
TPH1110FNH,L1QCT-DG
TPH1110FNH,L1QDKR
TPH1110FNH,L1Q(M
TPH1110FNHL1QTR
TPH1110FNH,L1QTR-DG
TPH1110FNH,L1QCT
TPH1110FNH,L1QTR
TPH1110FNHL1QDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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