Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK58A06N1,S4X
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK58A06N1,S4X-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 58A TO220SIS
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 58A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
4 Pz Nuovo Originale Disponibile
12890337
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TK58A06N1,S4X Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
U-MOSVIII-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.4mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 500µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3400 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
35W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220SIS
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
TK58A06
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
TK58A06N1S4X
TK58A06N1,S4X-DG
TK58A06N1,S4X(S
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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