Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK3A65D(STA4,Q,M)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK3A65D(STA4,Q,M)-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 3A TO220SIS
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 3A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Inventario:
47 Pz Nuovo Originale Disponibile
12890339
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TK3A65D(STA4,Q,M) Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
π-MOSVII
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.25Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
540 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
35W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220SIS
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
TK3A65
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
TK3A65D(STA4QM)
TK3A65DSTA4QM
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IRFIBC30GPBF
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
1568
NUMERO DI PEZZO
IRFIBC30GPBF-DG
PREZZO UNITARIO
1.22
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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