Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK560A60Y,S4X
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK560A60Y,S4X-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 7A (Tc) 30W Through Hole TO-220SIS
Inventario:
12891186
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TK560A60Y,S4X Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
DTMOSV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
560mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 240µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
380 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
30W
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220SIS
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Numero di prodotto di base
TK560A60
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
TK560A60Y,S4X(S
TK560A60YS4X(S
TK560A60YS4X
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STF10N60M2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
2606
NUMERO DI PEZZO
STF10N60M2-DG
PREZZO UNITARIO
0.53
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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