Numero di Prodotto del Fabbricante:
TPN3R704PL,L1Q
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TPN3R704PL,L1Q-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 40V 80A 8TSON
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 40 V 80A (Tc) 630mW (Ta), 86W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.1x3.1)
Inventario:
34211 Pz Nuovo Originale Disponibile
12891188
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TPN3R704PL,L1Q Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIX-H
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
40 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.7mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.4V @ 200µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2500 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
630mW (Ta), 86W (Tc)
Temperatura
175°C
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-TSON Advance (3.1x3.1)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
TPN3R704
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
TPN3R704PLL1QDKR
TPN3R704PLL1QTR
TPN3R704PLL1QCT
TPN3R704PL,L1Q(M
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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