Numero di Prodotto del Fabbricante:
TK12E60W,S1VX
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
TK12E60W,S1VX-DG
Descrizione:
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 11.5A (Ta) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
50 Pz Nuovo Originale Disponibile
12891143
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TK12E60W,S1VX Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tube
Serie
DTMOSIV
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
11.5A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 5.8A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.7V @ 600µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
890 pF @ 300 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
110W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
TK12E60
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
TK12E60WS1VX
TK12E60W,S1VX(S
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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