Numero di Prodotto del Fabbricante:
SSM3J325F,LF
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
SSM3J325F,LF-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount S-Mini
Inventario:
17726 Pz Nuovo Originale Disponibile
12891149
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SSM3J325F,LF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSVI
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 1A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
-
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
4.6 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
270 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
600mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
S-Mini
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
SSM3J325
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SSM3J325FLFTR
SSM3J325FLFCT
SSM3J325F,LF(T
SSM3J325F,LF(B
SSM3J325FLF
SSM3J325FLFDKR
SSM3J325F,LF(A
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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