Numero di Prodotto del Fabbricante:
SSM6J53FE(TE85L,F)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
SSM6J53FE(TE85L,F)-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 1.8A ES6
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventario:
12890473
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SSM6J53FE(TE85L,F) Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.8A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.5V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
136mOhm @ 1A, 2.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
10.6 nC @ 4 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
568 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
ES6
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Numero di prodotto di base
SSM6J53
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
SSM6J53FE(TE85LF)CT
SSM6J53FE(TE85LF)TR
SSM6J53FETE85LF
SSM6J53FE(TE85LF)DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NTZS3151PT1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
17660
NUMERO DI PEZZO
NTZS3151PT1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.07
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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