Numero di Prodotto del Fabbricante:
NTZS3151PT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
NTZS3151PT1G-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 860mA (Ta) 170mW (Ta) Surface Mount SOT-563
Inventario:
17660 Pz Nuovo Originale Disponibile
12930487
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NTZS3151PT1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
860mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
150mOhm @ 950mA, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
5.6 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
458 pF @ 16 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
170mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-563
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Numero di prodotto di base
NTZS3151
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
NTZS3151PT1GOSTR
NTZS3151PT1GOSCT
ONSONSNTZS3151PT1G
NTZS3151PT1GOSDKR
2156-NTZS3151PT1G-OS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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