Numero di Prodotto del Fabbricante:
SSM6J206FE(TE85L,F
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
SSM6J206FE(TE85L,F-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventario:
12889259
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SSM6J206FE(TE85L,F Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 1A, 4V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Vgs (massimo)
±8V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
335 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
ES6
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Numero di prodotto di base
SSM6J206
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
SSM6J206FETE85LF
SSM6J206FE(TE85LFCT
SSM6J206FE(TE85LFTR
SSM6J206FE(TE85LFDKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NTZS3151PT1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
17660
NUMERO DI PEZZO
NTZS3151PT1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.07
TIPO DI SOSTITUZIONE
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