Numero di Prodotto del Fabbricante:
SSM5H16TU,LF
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
SSM5H16TU,LF-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 1.9A UFV
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFV
Inventario:
3515 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889779
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
SSM5H16TU,LF Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
U-MOSIII
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
1.9A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
1.8V, 4V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
133mOhm @ 1A, 4V
vgs(th) (massimo) @ id
1V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
1.9 nC @ 4 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
123 pF @ 15 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
500mW (Ta)
Temperatura
150°C
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
UFV
Pacchetto / Custodia
6-SMD (5 Leads), Flat Lead
Numero di prodotto di base
SSM5H16
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
SSM5H16TULFCT
SSM5H16TU,LF(B
SSM5H16TULFDKR
SSM5H16TULFTR
SSM5H16TU,LF(T
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
2SK2231(TE16R1,NQ)
MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD
2SK2719(F)
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
SSM3J355R,LF
MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F