Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SK2719(F)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
2SK2719(F)-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 900V 3A TO3P
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 900 V 3A (Ta) 125W (Tc) Through Hole TO-3P(N)
Inventario:
12889784
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2SK2719(F) Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
900 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.3Ohm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
750 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
125W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P(N)
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
2SK2719
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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