Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN2971FE(TE85L,F)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN2971FE(TE85L,F)-DG
Descrizione:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventario:
12891090
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RN2971FE(TE85L,F) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
120 @ 1mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
200MHz
Potenza - Max
100mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
ES6
Numero di prodotto di base
RN2971
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
RN2971FE(TE85LF)TR
RN2971FE(TE85LF)CT
RN2971FE(TE85LF)DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
EMB4T2R
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
EMB4T2R-DG
PREZZO UNITARIO
0.07
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
RN2111MFV,L3F
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
7550
NUMERO DI PEZZO
RN2111MFV,L3F-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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