Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN2315TE85LF
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN2315TE85LF-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC70
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 MHz 100 mW Surface Mount SC-70
Inventario:
12820 Pz Nuovo Originale Disponibile
12890825
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RN2315TE85LF Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
50 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
200 MHz
Potenza - Max
100 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-70, SOT-323
Pacchetto dispositivo fornitore
SC-70
Numero di prodotto di base
RN2315
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RN2315TE85LFDKR
RN2315TE85LFTR
RN2315(TE85L,F)
RN2315TE85LFCT
RN2315TE85LF-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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