Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN1109(T5L,F,T)
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN1109(T5L,F,T)-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 100 mW Surface Mount SSM
Inventario:
12890864
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RN1109(T5L,F,T) Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
47 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
22 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250 MHz
Potenza - Max
100 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SC-75, SOT-416
Pacchetto dispositivo fornitore
SSM
Numero di prodotto di base
RN1109
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RN1109T5LFT
RN1109(T5LFT)TR
RN1109(T5LFT)DKR
RN1109(T5LFT)CT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DDTC144WE-7-F
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DDTC144WE-7-F-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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