RN1702JE(TE85L,F)
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RN1702JE(TE85L,F)

Product Overview

Produttore:

Toshiba Semiconductor and Storage

Numero di Parte:

RN1702JE(TE85L,F)-DG

Descrizione:

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ESV

Inventario:

1134 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889360
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RN1702JE(TE85L,F) Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
50 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
100mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-553
Pacchetto dispositivo fornitore
ESV
Numero di prodotto di base
RN1702

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
RN1702JE(TE85LF)TR
RN1702JE(TE85LF)CT
RN1702JE(TE85LF)DKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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