Numero di Prodotto del Fabbricante:
RN1909,LF(CT
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
RN1909,LF(CT-DG
Descrizione:
NPNX2 BRT Q1BSR47KOHM Q1BER22KOH
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount US6
Inventario:
2392 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889367
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
RN1909,LF(CT Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
47kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
22kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
70 @ 10mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
250MHz
Potenza - Max
200mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
US6
Numero di prodotto di base
RN1909
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RN1909LF(CTTR
RN1909LF(CTCT-DG
RN1909LF(CTDKR
RN1909LF(CTCT
264-RN1909,LF(CTTR
264-RN1909,LF(CT
RN1909LF(CTDKR-DG
264-RN1909,LF(CTDKR
RN1909LF(CTTR-DG
RN1909,LF(CB
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
RN2703JE(TE85L,F)
TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV
RN1701JE(TE85L,F)
TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ESV
DDC144TU-7
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W SOT363
