Numero di Prodotto del Fabbricante:
HN2C01FEYTE85LF
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
HN2C01FEYTE85LF-DG
Descrizione:
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 60MHz 100mW Surface Mount ES6
Inventario:
2640 Pz Nuovo Originale Disponibile
12889415
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HN2C01FEYTE85LF Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
2 NPN (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
150mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Potenza - Max
100mW
Frequenza - Transizione
60MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
ES6
Numero di prodotto di base
HN2C01
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Altri nomi
HN2C01FEYTE85LFDKR
HN2C01FEYTE85LFTR
HN2C01FEYTE85LFCT
HN2C01FE-Y(TE85L,F
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
HN1C01FE-Y,LF
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
HN1C01FE-Y,LF-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
NUMERO DI PARTE
EMX1T2R
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
15274
NUMERO DI PEZZO
EMX1T2R-DG
PREZZO UNITARIO
0.08
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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