Numero di Prodotto del Fabbricante:
HN1B04FU-Y(T5L,F,T
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
HN1B04FU-Y(T5L,F,T-DG
Descrizione:
TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW Surface Mount US6
Inventario:
12889626
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HN1B04FU-Y(T5L,F,T Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN, PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
150mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 10mA, 100mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
120 @ 2mA, 6V
Potenza - Max
200mW
Frequenza - Transizione
150MHz
Temperatura
125°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
US6
Numero di prodotto di base
HN1B04
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
HN1B04FU-Y(T5LFTCT
HN1B04FU-Y(T5LFTDKR
HN1B04FU-Y(T5LFTTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
UMZ1NT1G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
11000
NUMERO DI PEZZO
UMZ1NT1G-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
UMZ1NTR
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
109445
NUMERO DI PEZZO
UMZ1NTR-DG
PREZZO UNITARIO
0.05
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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