Numero di Prodotto del Fabbricante:
HN1C03FU-A(TE85L,F
Product Overview
Produttore:
Toshiba Semiconductor and Storage
Numero di Parte:
HN1C03FU-A(TE85L,F-DG
Descrizione:
TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
Inventario:
12889810
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HN1C03FU-A(TE85L,F Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari
Produttore
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 NPN (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
300mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
20V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
100mV @ 3mA, 30mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
200 @ 4mA, 2V
Potenza - Max
200mW
Frequenza - Transizione
30MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
US6
Numero di prodotto di base
HN1C03
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
HN1C03FU-A(TE85LFDKR
HN1C03FU-A(TE85LFCT
HN1C03FU-A(TE85LFTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
QSX8TR
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
300
NUMERO DI PEZZO
QSX8TR-DG
PREZZO UNITARIO
0.17
TIPO DI SOSTITUZIONE
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