Numero di Prodotto del Fabbricante:
STU6N65M2-S
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STU6N65M2-S-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventario:
12876786
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STU6N65M2-S Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tube
Serie
MDmesh™ M2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
226 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I-PAK
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
STU6N65
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
STU6N65M2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
543
NUMERO DI PEZZO
STU6N65M2-DG
PREZZO UNITARIO
0.44
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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