Numero di Prodotto del Fabbricante:
STU6N65M2
Product Overview
Produttore:
STMicroelectronics
Numero di Parte:
STU6N65M2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 4A IPAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)
Inventario:
543 Pz Nuovo Originale Disponibile
12879599
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STU6N65M2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
STMicroelectronics
Imballaggio
Tube
Serie
MDmesh™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
4A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
9.8 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
226 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
60W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-251 (IPAK)
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numero di prodotto di base
STU6N65
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
75
Altri nomi
-497-15044-5
497-15044-5
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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