Numero di Prodotto del Fabbricante:
IXFP12N65X2
Product Overview
Produttore:
IXYS
Numero di Parte:
IXFP12N65X2-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220AB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
290 Pz Nuovo Originale Disponibile
12905780
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IXFP12N65X2 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
Littelfuse
Imballaggio
Tube
Serie
HiPerFET™, Ultra X2
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
310mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1134 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
180W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
IXFP12
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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