Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Francia
Spagna
Turchia
Moldavia
Lituania
Norvegia
Germania
Portogallo
Slovacchia
Italia
Finlandia
Russo
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Serbia
Belarus
Paesi Bassi
Svezia
Montenegro
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Romania
Austria
Belgio
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Repubblica Democratica del Congo
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Angola
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
SCT4045DRHRC15
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
SCT4045DRHRC15-DG
Descrizione:
750V, 34A, 4-PIN THD, TRENCH-STR
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 750 V 34A (Tc) 115W Through Hole TO-247-4L
Inventario:
60 Pz Nuovo Originale Disponibile
13001083
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
SCT4045DRHRC15 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tube
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensione da drain a source (Vdss)
750 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
34A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 17A, 18V
vgs(th) (massimo) @ id
4.8V @ 8.89mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (massimo)
+21V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1460 pF @ 500 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
115W
Temperatura
175°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-4L
Pacchetto / Custodia
TO-247-4
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
SCT4045DRHRC15
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
846-SCT4045DRHRC15
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
G26P04K
P-40V,RD(MAX)<18M@-10V,RD(MAX)<2
RS6L120BGTB1
NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
G11S
P-20V,RD(MAX)<
[email protected]
,RD(MAX
PMPB07R0UNAX
SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE