Numero di Prodotto del Fabbricante:
RS6L120BGTB1
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RS6L120BGTB1-DG
Descrizione:
NCH 60V 120A, HSOP8, POWER MOSFE
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventario:
2236 Pz Nuovo Originale Disponibile
13001101
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RS6L120BGTB1 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
51 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3520 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
104W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSOP
Pacchetto / Custodia
8-PowerTDFN
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
846-RS6L120BGTB1CT
846-RS6L120BGTB1TR
846-RS6L120BGTB1DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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