Numero di Prodotto del Fabbricante:
RQ3E130BNTB
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RQ3E130BNTB-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 13A 8HSMT
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 13A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventario:
1954 Pz Nuovo Originale Disponibile
13526443
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RQ3E130BNTB Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
13A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 13A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1900 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
RQ3E130
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RQ3E130BNTBDKR
RQ3E130BNTBCT
RQ3E130BNTBTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TPN6R003NL,LQ
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
2966
NUMERO DI PEZZO
TPN6R003NL,LQ-DG
PREZZO UNITARIO
0.30
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
DMT3006LFV-13
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
2940
NUMERO DI PEZZO
DMT3006LFV-13-DG
PREZZO UNITARIO
0.21
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
DMT3006LFG-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
3626
NUMERO DI PEZZO
DMT3006LFG-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.24
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
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