Numero di Prodotto del Fabbricante:
QS5U17TR
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
QS5U17TR-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 30 V 2A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount TSMT5
Inventario:
8691 Pz Nuovo Originale Disponibile
13526444
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
QS5U17TR Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
100mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
175 pF @ 10 V
Funzione FET
Schottky Diode (Isolated)
Dissipazione di potenza (max)
900mW (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TSMT5
Pacchetto / Custodia
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
Numero di prodotto di base
QS5U17
Scheda dati e documenti
Documenti di affidabilità
Risorse di progettazione
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
QS5U17CT
QS5U17DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
RDN100N20FU6
MOSFET N-CH 200V 10A TO220FN
RQ6E080AJTCR
MOSFET N-CH 30V 8A TSMT6
RE1C002ZPTL
MOSFET P-CH 20V 200MA EMT3F