RQ3E120ATTB
Numero di Prodotto del Fabbricante:

RQ3E120ATTB

Product Overview

Produttore:

Rohm Semiconductor

Numero di Parte:

RQ3E120ATTB-DG

Descrizione:

MOSFET P-CH 30V 12A 8HSMT
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Inventario:

21620 Pz Nuovo Originale Disponibile
13525487
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RQ3E120ATTB Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
30 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3200 pF @ 15 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
8-HSMT (3.2x3)
Pacchetto / Custodia
8-PowerVDFN
Numero di prodotto di base
RQ3E120

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
RQ3E120ATTB HSMT8 TB Taping Spec

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
RQ3E120ATTBTR
RQ3E120ATTBCT
RQ3E120ATTBDKR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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