Numero di Prodotto del Fabbricante:
RD3L08BGNTL
Product Overview
Produttore:
Rohm Semiconductor
Numero di Parte:
RD3L08BGNTL-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventario:
1415 Pz Nuovo Originale Disponibile
13525521
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RD3L08BGNTL Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
ROHM Semiconductor
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.5V @ 100µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3620 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
119W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-252
Pacchetto / Custodia
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numero di prodotto di base
RD3L08
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,500
Altri nomi
RD3L08BGNTLDKR
RD3L08BGNTLTR
RD3L08BGNTLCT
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TK6R7P06PL,RQ
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
22356
NUMERO DI PEZZO
TK6R7P06PL,RQ-DG
PREZZO UNITARIO
0.31
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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